Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.librarynmu.com/handle/123456789/1380
Назва: Coulomb interactions at the interface silicon wire-nervous tissue
Автори: Klimovskaya, A.
Chaikovsky, Y.
Naumova, O.
Vysotskaya, N.
Korsak, A.
Likhodievskiy, V.
Fomin, B.
Ключові слова: interface
silicon wires
Дата публікації: 2016
Видавництво: Ukrainian public organization Scientific society of anatomists, histologists, embryologists and topographoanatomists of Ukraine
Короткий огляд (реферат): In the past decade the “silicon crystal-nervous tissue” interface has been attracting huge interest due to the possibility of its application for neuro-computing and regenerative medicine. The key challenge of this research is to understand the mechanisms of the interface formation, and thus to prespecify properties of the interface and its operation. Despite numerous researches there is no clear definition of these mechanisms up to date. Here we present the study of the “silicon wire-nerve tissue” interface formed both in vivo and in vitro experiments. We have shown experimentally that there is a very good electrostatic adhesion of a nerve tissue to silicon wire in the living organism and in a medium, close to the physiological environment, as well.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ir.librarynmu.com/handle/123456789/1380
ISSN: 2412-9348
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри гістології та ембріології

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
SMB-2016-01-136.pdf382,75 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.